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高真空电阻热蒸发镀膜机配手套箱系统  

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产品介绍 Overview

应用范围

适用于制备金属电极、钙钛矿太阳能电池、OLED、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等,可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作,也可用于于小批量及中试生产或大批量生产前的试验工作。

产品特点

设备兼容有机/无机蒸发,可实现多元分蒸或共蒸获得多层膜、复合膜,性能稳定,尤其温控有机蒸发源不仅角度可调,均匀性好,同时可通过进口膜厚仪联动控制实现速率精确控制、掺杂;样品台可升降调整源-基片距离,有效节约贵重材料,降低实验成本;

ATTO10全自动高真空电阻蒸发镀膜系统采用windows操作平台和cotrl2000控制系统,采用IPC+network技术,实现整机主要部件的参数化设置、实施实时监控及故障智能诊断以及膜厚全自动监控,有自动和手动控制两种模式。除取放样品外,其它操作过程全部在PC上使用软件控制;提供真空系统、工艺设置、充放气系统等友好人机操作界面;在工控机上可通过配方设置参数,实现对程序工艺过程和设备参数的设置、储存和打印。

膜厚全自动监控系统,自动设计、工艺读入、参数设置、实时监控等功能,实现整个镀膜过程的全自动控制。可以设置数十层甚至上百层的膜层控制,简单实现单层或多层共蒸。

产品组成

该设备主要由有机/金属蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。

产品参数

手套箱箱体
描述

材料:不锈钢 type 304 厚度 3 mm

尺寸: 1800mm(L) x 750mm(W) x 900mm(H)+1200mm(L) x 750mm(W) x 900mm(H)

体积1.2m³+0.8m³
前窗

面板:8 mm厚安全钢化玻璃  或 10 mm厚度聚碳酸酯 (可供选择)

手套口

硬铝合金材质或聚甲醛材料 (可供选择)

口径 220 mm, O型圈密封

手套

材料:丁基橡胶

厚度: 0.4 mm 

过滤器出口和入口过滤器,过滤<0.3μm
照明LED照明位于前窗顶上部
泄漏率

≤ 0.05 vol%/h

GP20气体净化系统(两套)
描述

自动去除 H2O 和 O2

单净化柱系统,自动再生(可选购GP200双净化柱)

密闭的气体循环管路

使用电压AC 230 V / 50-60 Hz, 10 A
工作气体

工作气:N2、Ar 、He(纯度≥99.999%)

再生气:H2占5%—10%,其余的为工作气(纯度≥99.999%)

真空泵

规格:旋片真空泵,  配带油雾过滤器, 带气镇控制

流量:12 m³/h (7 cfm), 双基片,真空度< 2 x 10-3 mbar  或干泵(可供选择)

循环单元

无油高速风机

风量:0-100 m³/h

阀门德国宝德电磁阀,模块化设计,优良的密封性能
泄漏率

≤ 0.05 vol%/h

控制柜尺寸

600mm(L) x 800mm(D) x 870mm(H)

过渡舱

T型大过渡舱

材料

不锈钢 type 304, 厚度 3 mm

尺寸φ360mmx700mm(L)

真空度

< 1 x 10-2 mbar

T型小过渡舱

材料

不锈钢 type 304, 厚度 2 mm

尺寸φ150mm x 700mm(L)

真空度

< 1 x 10-2 mbar

大过渡舱

材料

不锈钢 type 304, 厚度 3 mm

尺寸φ360mmx600mm(L) 或φ390mmx600mm(L)(可供选择)

真空度

< 1 x 10-2 mbar

小过渡舱

材料

不锈钢 type 304, 厚度 2 mm

尺寸φ150mm x 330mm(L)

真空度

< 1 x 10-2 mbar

清洗系统
描述设置好相应时间和压力,系统可以对箱体自动进行气体置换。

分析仪

氧气分析仪

尺寸

205 mm(L) x 80 mm(W) x 60 mm(H)

测量范围

0-1000 ppm

其他氧分析仪

GE oxy.IQ™ Oxygen Transmitter

水分分析仪

尺寸

205 mm(L) x 80 mm(W) x 60 mm(H)

测量范围

0-500 ppm

其他水分析仪

GE VeriDri™ Dew-Point Transmitter

溶剂净化系统

描述

材料: 不锈钢1.4301 (SUS type 304), 厚度 3 mm

内部尺寸: 220mm(Φ) x 450mm(H)

优质活性炭

选购设备

冰箱

独立控制系统,集成在箱体侧板,温度-35℃,容积18L或者32L可选

主体304不锈钢板材,5层可变隔层

R404环保型制冷剂,原装进口

加热舱大过渡舱配置加热系统,温度为200℃,控温±1℃

真空镀膜室

描述

材料:不锈钢1.4301 (SUS type 304), 厚度 5mm,所有焊缝连接均采用氩弧自动焊接技术;内表面镜面抛光,外表面三项处理。

尺寸: 400mm(W)×400mm(H)×450mm(D);

体积0.072m³
观察窗

门上配备玻璃观察窗(含防污染挡板),方便观察工作时的工作情况。

符合X射线防护国家标准

极限真空

≤6. 67x10-5pa (2×10-7Torr) (经烘烤除气后)

恢复真空时间

≤6.67X10-4 pa(经烘烤除气后)

接口标准接口三个(φ200),拓展安装分子泵和插板阀用;
预留标准接口四个(CF35),拓展功能用;
照明LED照明位于真空室侧部,方便观察真空室内部
泄漏率

检漏依据GB T 32218-2015对箱体进行检测,≤1x10-10PaL/s的标准进行最终验收测试。

真空系统
描述

采用 “分子泵+机械泵”高真空系统:

分子泵抽速:1200L/S,真正的准无油真空系统,采用下抽气,避免了分子泵的抽气弱点,提高了抽速;分子泵保修5年,提供损坏直接换新服务。 
 * 可选择进口分子泵
真空泵

规格:旋片真空泵,  配带油雾过滤器, 带气镇控制

流量:36 m³/h (21 cfm), 双基片,真空度< 2 x 10-3 mbar  或干泵(可供选择)

* 可选配干式真空泵

工作电压AC 230 V / 50-60 Hz, 10 A 或AC 115 V / 50-60 Hz, 20 A (可供选择)
抽速

从大气抽至9×10-4Pa≤30min(短时间暴露大气,冲入干燥氮气后开始抽气)

阀门

主阀:CC-200,高真空电气联动插板阀;

前级阀/旁路阀:GDQ-40高真空气动挡板阀;

真空测量

“两低一高”(两只电阻规测量低真空,一只电离规测量高真空) 数显复合真空计,测量范围从1×105Pa到1×10-5Pa;由PC显示和控制,可实现操作互锁联动。

* 可选配进口宽量程真空变送器

真空测量

部分采用金属密封,部分采用氟橡胶圈密封;

基片台
描述放置样品的载物台采用304不锈钢制造,基片置于蒸发源正上方(全自动升降功能),根据基片尺寸设计工装,方便用户固定样品。可定制一体化高精度刻蚀掩膜板;
旋转采用步进电机控制驱动旋转,磁流体密封,电机和磁流体同轴,不会产生丢转、爬行等情况,步进电机控制精确,转速范围0-30rpm连续可调;
升降采用步进电机控制驱动旋转,磁流体密封,控制精确,高度范围0-100mm连续可调;
掩膜抽屉式结构,承载最大小于120×120mm 样品,配日本SMC气动基片挡板,电气联动全自动控制。

镀膜源

金属蒸发源

结构

采用水冷铜电极+蒸发舟结构, 蒸发源间均设有防污染隔板且每个源均配有定位挡板,智能PC控制;

蒸发温度室温0~1300℃

金属蒸发电源

输出功率

0~3000W ,电流通过逆变式调控,稳定可靠。电源功率在0~最大功率之间连续可调。

控制RS-485接口,电源功率在0-最大功率之间连续可调。

数量

2台,自动切换控制

控制系统
描述采用windows操作平台和cotrl2000控制系统,采用IPC+network技术,实现整机主要部件的参数化设置、实施实时监控及故障智能诊断以及膜厚全自动监控,有自动和手动控制两种模式。除取放样品外,其它操作过程全部在PC上使用软件控制;提供真空系统、工艺设置、充放气系统等友好人机操作界面;在工控机上可通过配方设置参数,实现对程序工艺过程和设备参数的设置、储存和打印。
特点

能够有效解决镀膜的准确、稳定和可靠性。

完善的程序互锁,完备的防误操作设计及保护;系统缺水、过流过压等异常情况进行报警并执行相应保护措施。

采用丰富I/O接口设计,充分满足扩展与外连设备的功能需求。

显示控制镀膜机的舱门开启/关闭。

镀膜工艺、工序、膜厚,方便并且保存打印。

膜厚监测、控制系统

描述采用石英晶振膜厚控制仪,水冷膜厚探头安装在基片台附近,工控机连接。膜厚仪用以实时监测镀膜速率和终厚,精度可达±1A(0.1nm),实时信息反馈给工控机 ,若镀膜达到设置厚度,可自动控制电源,停止镀膜,实现自控膜厚之目的。
范围监测厚度范围:1Å~99µ9999Å,分辨率1Å;监测速率范围:0.1Å~9999.9Å.S/s,分辨率0.1Å

特点

镀膜工艺、工序、膜厚设置均在PC上,可实现全过程自动化控制,可在PC上设定镀膜工艺,记录数据。

水冷系统

描述

冷却水路8进8出,总进水采用水压继电器控制。

总进水与出水接1P制冷循环水机,控温范围10–25 ℃。给靶、金属源、分子泵、磁流体提供稳定的制冷循环水,保证设备稳定运行。

选配设备

基片台加热采用真空专用铠装加热丝,避免了传统加热元件污染真空室、污染基片、寿命短、需经常维护等问题。加热温度为:室温~300℃,温度控制采用进口日本岛电PID智能温控仪,控温精度±1℃。
水冷采用步进电机控制驱动旋转,动密封,一进一出水流。
液氮冷却专利产品:采用步进电机控制驱动旋转,磁流体密封,电机和磁流体同轴,实测温度-160 ℃
选片镀膜专利产品:任意选片镀膜,归位自动转移对齐, 可调沉积高度。
自动配位镀膜专利产品:选片无级配选镀膜功能,回零归位自动转移对齐, 可调沉积高度
无级翻转和旋转专利产品:实现基片的横向和竖向旋转,无级旋转和加热,可实现高均匀度的镀膜。

真空烘烤/除气

双加热器设计;

功率:1200 W;

安装法兰:CF35;

给真空腔体快速除气,提高真空度;

烘烤时间比烘烤炉和加热带短;

进样舱

开门结构,尺寸约为ø200 X 300mm

真空系统:机械泵、分子泵、阀门

极限真空:≤6.67X10-4 pa(经烘烤除气后)。

恢复真空时间:30分钟可达到6. 6x10-3 Pa (系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始)

腔室加热真空腔室配置加热系统,温度为200℃,控温±1℃
水冷系统

冷却水路8进8出,总进水采用水压继电器控制。

总进水与出水接1P制冷循环水机,控温范围10–25 ℃。给金属源、分子泵、磁流体提供稳定的制冷循环水,保证设备稳定运行。

其他说明
产品认证

ISO9001认证、CE认证、UL认证

质保期一年质保期,终身维修
应用注意事项详情参阅说明书危险、警告、注意等条款
包装尺寸(W×D×H)
重量


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